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Fakultät Maschinenbau
Analytikmethode zur Strukturanalyse

Rasterelektronenmikroskopie

Mit der Rasterelektronenmikroskopie (REM) werden die Morphologie und Topographie der PVD-Dünnschichten analysiert. Weiterhin können die Schichtdicken an Bruchflächen der Substrat/Schichtverbunde ermittelt werden, um die Abscheideraten der Beschichtungsprozesse zu berechnen. Die integrierte energiedispersive Röntgenspektroskopie (engl. energy dispersive x-ray spectroscopy, kurz EDX) ermöglicht zudem die Bestimmung der chemischen Elemente von PVD-Dünnschichten.

Am LWT wird das Feldemission-Rasterelektronenmikroskop des Typs JSM 7001F der Firma JEOL Ltd. (Akishima, Japan) für die Schichtcharakterisierung eingesetzt. Die Sekundärelektronen- (engl. secondary electrons, kurz SE) und Rückstreuelektronendetektoren (engl. backscattered electrons, kurz BSE) erzeugen die Aufnahmen der Bruchflächen und Oberflächen. Mit dem Silizium-Drift-Detektor des Typs INCA x-act der Firma Oxford Instruments (Abingdon, Vereinigtes Königreich) werden die EDX-Messungen durchgeführt.

Vergleich zwischen 1. Monolagige HfN-Dünnschicht; 2. Alternierende AICrN/HfN-Dünnschicht; 3. Multilagige Cr_x C_y/a-C:Si-Dünnschicht © LWT
REM-Aufnahmen der Morphologie und Topographie von PVD-Dünnschichten